메모리쪽에서는 sk쪽이 진행이 빠르게 되고 있나봅니다
https://www.guru3d.com/news-story/sk-hynix-to-has-superfast-ddr5-memory-on-its-roadmap.html
내년부터, 최초로 상용화된 DDR5 메모리를 볼 수 있을지도 모릅니다. (종종 이 이후에 소비자용도 나오죠) SK 하이닉스가 자신들이 준비하고 있는 DDR5에 관해 일부 정보를 공개해주었습니다.
DDR4-3200 보다 두 배 이상 빠를 뿐만 아니라, 밀도 상승, 그로 인한 DIMM당 용량까지 어마어마하게 올라갑니다.
첫번째로, DDR5에서는 8 bank group에 기반하는 32 banks 구조를 채택하였습니다. 이는 4 bank group 기반하여 16 bank 구조인 DDR4와 두 배 차이 납니다. 이를 통해, DDR5의 대역폭을 DDR4 대비해 두 배 이상 늘릴 수 있었습니다.
두번째로, DDR5의 BL(burst length)가 16으로, DDR4 대비 두 배 늘었습니다. 이는 메모리 대역폭을 두 배 이상 늘리는데 큰 영향을 끼치는 또 다른 핵심적인 부분입니다
세번째로, DDR4는 새로 고침(refreshing)하는 동안, 다른 작업을 수행할 수 없습니다. 즉, 새로 고침 중일때(refresh timing) 시스템에 접근할 수 없었습니다. 그러나 DDR5에선 Same Bank Refresh 기능을 채택하여, 다른 뱅크(banks)가 작동 중일때 시스템에 접근할 수 있도록 합니다.
마지막으로, 서버 시스템에서의 많은 채널과 DIMM, 소켓은 신호 무결성(signal intefrity) 관해서 많은 어려움이 있습니다. 그러나 Decision Feedback Equalization, DFE 회로를 채택하여, 채널의 고속 작동에서의 반사 노이즈(reflective noise)를 제거합니다.
DDR5는 보다 전력 효율을 높이고, 내구성을 강화한 특징이 있습니다. 작동 전압이 DDR4의 1.2V와 대비해, DDR5에서는 작동 전압이 1.1V로 낮아져, 전력 소비를 20% 이상 낮췄습니다.
SK 하이닉스는 10nm 클래스 16Gb DDR5로 고객 수요에 능동적으로 발맞춰 시장을 이끌겠다는 계획입니다.
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