“삼성전자 HBM, 엔비디아 테스트 통과 못해” 보도에…주가 3% 하락

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로이터 “삼성전자 HBM 엔비디아 테스트 아직 통과 못 했다”
수정 2024-05-24 10:35 등록 2024-05-24 08:56

삼성전자가 미국 반도체업체 엔비디아에 고대역폭 메모리(HBM)를 납품하기 위한 테스트를 아직 통과하지 못했다고 로이터통신이 24일(현지시각) 단독 보도했다.

로이터는 이날 익명의 소식통 발언을 인용해 삼성전자 고대역폭 메모리의 발열과 전력 소비 등이 문제가 됐다면서 이렇게 보도했다. 삼성전자는 로이터에 “고대역폭 메모리는 ‘고객사의 필요에 맞는 최적화 과정이 필요하다’면서 고객사와 긴밀히 협력해 제품 최적화를 진행 중”이라고 밝혔다. 엔비디아는 입장을 내놓지 않았다고 로이터는 덧붙였다.

소식통에 따르면 삼성전자는 지난해부터 ‘5세대 고대역폭메모리’(HBM3E)에 대한 엔비디아 테스트를 통과하기 위해 노력했으나 지난달 테스트에 실패했다는 결과를 받았다고 한다. 로이터는 “이 문제를 쉽게 해결할 수 있는지는 명확지 않다”며 “엔비디아의 요구 사항을 충족하지 못하면서 업계에서는 우려가 커지고, 투자자들 사이에서는 삼성전자가 경쟁사인 에스케이(SK)하이닉스보다 뒤처질 수 있다는 우려가 커지고 있다”는 소식통 발언을 전했다.

고대역폭 메모리는 2013년 처음 생산됐으며, 칩을 수직으로 쌓아 공간을 절약하고 전력 소비를 줄이는 방식이다. 생성형 인공지능 시장이 확대되면서 막대한 양의 데이터를 처리하기 위해 수요가 급증했다. 경쟁사들은 지난 3월께 엔비디아에 5세대 고대역폭메모리 제품을 공급하기 시작했지만, 삼성전자는 엔비디아에서 4세대(HBM3)와 5세대 샘플 검증을 통과하지 못한 상태였다.

앞서 지난 21일 삼성전자가 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 수장을 전영현 전 미래사업기획단장으로 깜짝 발탁한 것을 두고 기존 경계현 사장에 대한 ‘문책성 인사’가 아니냐는 뒷말이 나온 바 있다.

김미나 기자 [email protected]


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“삼성전자 HBM, 엔비디아 테스트 통과 못해” 보도에…주가 3% 하락
수정 2024-05-24 19:17 등록 2024-05-24 17:35

삼성전자 “테스트 순조롭게 진행 중” 반박

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)를 엔비디아에 공급하지 못하고 있는 배경에는 발열 문제가 있는 것으로 알려졌다. 발열 문제는 해결하는 데 오래 걸릴 가능성이 있는 만큼, 에스케이(SK)하이닉스와의 격차가 더욱 벌어질지 주목된다. 검증 절차가 순조롭게 진행되고 있다는 삼성전자의 입장문도 불안 심리를 잠재우지 못하면서 주가는 3% 떨어졌다.

24일 로이터 통신 보도를 보면, 삼성전자의 고대역폭메모리가 엔비디아의 검증을 아직 통과하지 못하고 있는 건 발열과 전력 소비 문제 때문이라고 관계자 3명이 말했다. 이 문제는 삼성전자의 4세대(HBM3)와 5세대(HBM3E) 제품에 모두 해당된다고도 했다. 삼성전자가 엔비디아 문턱을 넘지 못하는 이유가 언론 보도를 통해 밝혀진 건 이번이 처음이다.

삼성전자는 곧바로 진화 작업에 나섰다. 회사는 보도가 이뤄진 지 1시간여 만에 입장문을 내어 “다양한 글로벌 파트너들과 고대역폭메모리 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중”이라고 밝혔다. 그러면서 “특정 시점에서의 테스트 관련 보도는 당사의 이미지와 신뢰도를 훼손할 수 있으므로 보도에 신중을 기해달라”고 했다. 발열 문제를 정면 부인하지는 않은 것으로 풀이된다.

이번 보도는 삼성전자의 고대역폭메모리를 향한 시장의 의구심이 이미 짙은 상황이라는 점에서 주목도가 높다. 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO)는 지난 3월 회사 행사에 열린 삼성전자 부스를 방문해 5세대 제품에 ‘젠슨이 승인함’(Jensen Approved)이라고 적었다. 그럼에도 두달 넘게 거래가 없는 상황이다. 시장에서 그새 품질 문제가 발견된 것 아니냐는 추측이 제기된 배경이다. 로이터는 삼성전자가 지난해 4·5세대 샘플을 제공하고 검증을 받아왔으나, 지난달 검증 통과에 일차적으로 실패했다는 결과를 받아들었다고 보도했다.

발열은 심각성이 작지 않은 문제라는 점에서도 관심이 쏠린다. 고대역폭메모리는 일반 메모리 반도체보다 작동 속도가 훨씬 빠르고 물리적으로 그래픽처리장치(GPU) 바로 옆에 있어 발열 문제가 생기기 쉽다. 발열이 심해지면 반도체 성능이 저하되고 전력 소모가 커질 뿐 아니라 하드웨어도 손상될 수 있다. 한마디로 제품의 품질과 직결되는 문제라는 얘기다.

삼성전자가 에스케이하이닉스와는 다른 공정을 쓰고 있다는 점도 주목할 만하다. 고대역폭메모리는 기존 메모리 반도체 디램(DRAM)을 여러 겹 쌓아서 만든 제품이다. 하이닉스는 이렇게 쌓은 디램을 접합할 때 사이사이에 액체 보호재를 주입해 굳히는 공정(MR-MUF)을 적용하는데, 이 공정은 열 방출에 상대적으로 효과적이라는 평가를 받고 있다. 삼성전자는 하이닉스와 달리 칩 사이에 절연 필름을 덧대고 열과 압력을 가해 눌러 붙이는 공정(TC-NCF)을 활용한다. 한 업계 관계자는 “공정 자체에서 비롯된 문제일 경우 엔비디아 검증을 단기간에 통과하긴 힘들 것”이라고 말했다.

엔비디아가 삼성전자 검증 절차를 서두를 유인이 없다는 해석도 있다. 엔비디아는 올해 필요한 고대역폭메모리 물량을 에스케이하이닉스와 미국 마이크론 테크놀로지를 통해 이미 확보한 것으로 알려져 있다. 이 경우 삼성전자의 납품은 올해 하반기 이후로 밀리면서 경쟁사와의 격차가 더욱 벌어질 수 있다. 에스케이하이닉스는 앞서 4세대 제품을 엔비디아에 독점 공급했으며, 올해 3월께부터 5세대 제품도 공급하고 있다.

시장에서도 비관론이 확산하는 분위기다. 삼성전자는 이날 유가증권시장에서 전날보다 3.07% 떨어진 7만5900원에 거래를 마쳤다. 1.26% 내린 코스피보다 하락폭이 더 컸다. 류영호 엔에이치(NH)투자증권 연구원은 “납품이 확실시되기 전까지는 이런 분위기가 계속될 것으로 보인다”고 말했다.

이재연 박종오 기자 [email protected]

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